Parámetro Valor
Tipo IGBT rápido (NPT)
Tensión colector‑emisor (V_CE) 600 V
Corriente de colector (I_C) 10 A
Voltaje colector-emisor en saturación (V_CE(sat)) ~ 2,3 V
Voltaje puerta‑emisor máximo (V_GE) ±20 V
Resistencia térmica (interfaz unión‑carcasa) ~ 1,35 K/W
Temperatura de unión (T_j) –55 °C … +150 °C
Tiempo de soporte en cortocircuito 10 µs
Corriente máxima de cortocircuito (pico) ~ 100 A (durante el tiempo de cortocircuito permitido)
Capacitancia de entrada (C_iss) ~ 550 pF
Capacitancia de salida (C_oss) ~ 62 pF
Capacitancia de transferencia inversa (C_rss) ~ 42 pF
Carga de puerta (Q_g) ~ 52 nC
Inductancia interna del emisor (L_e) ~ 13 nH (paquete TO‑247)
Corriente de avalancha de cortocircuito ~ 100 A (dentro de los 10 µs)

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