| Tipo |
IGBT rápido (NPT) |
| Tensión colector‑emisor (V_CE) |
600 V |
| Corriente de colector (I_C) |
10 A |
| Voltaje colector-emisor en saturación (V_CE(sat)) |
~ 2,3 V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (V_GE) |
±20 V |
| Resistencia térmica (interfaz unión‑carcasa) |
~ 1,35 K/W |
| Temperatura de unión (T_j) |
–55 °C … +150 °C |
| Tiempo de soporte en cortocircuito |
10 µs |
| Corriente máxima de cortocircuito (pico) |
~ 100 A (durante el tiempo de cortocircuito permitido) |
| Capacitancia de entrada (C_iss) |
~ 550 pF |
| Capacitancia de salida (C_oss) |
~ 62 pF |
| Capacitancia de transferencia inversa (C_rss) |
~ 42 pF |
| Carga de puerta (Q_g) |
~ 52 nC |
| Inductancia interna del emisor (L_e) |
~ 13 nH (paquete TO‑247) |
| Corriente de avalancha de cortocircuito |
~ 100 A (dentro de los 10 µs) |
