| Tipo |
IGBT discreto con diodo antiparalelo ultrarrápido (tecnología PowerMESH™) |
| Tensión colector-emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua de colector (I_C) |
40 A (a 25 °C) |
| Corriente continua de colector (I_C) |
20 A (a 100 °C) |
| Corriente pulsada de colector (I_CM) |
60 A |
| Voltaje puerta-emisor (V_GE) |
± 20 V (máx.) |
| Tensión de saturación (V_CE(sat)) |
típ. ~ 2.0–2.2 V / máx. ~ 2.5 V @ V_GE = 15 V, I_C = 12 A |
| Umbral de puerta (V_GE(th)) |
3.75 – 6 V |
| Corriente de fuga colector-emisor (I_CES) |
típ. unos µA; máx. < 100 µA según temperatura |
| Carga total de puerta (Qg) |
≈ 53 nC |
| Capacitancias típicas |
C_ies ≈ 900 pF, C_oes ≈ 70 pF, C_res ≈ 25 pF |
| Tiempo de encendido (td(on)) |
~ 25 ns |
| Tiempo de apagado (td(off)) |
~ 97 ns |
| Energía de conmutación (Eon / Eoff) |
≈ 85 µJ / 189 µJ |
| Diodo antiparalelo – tiempo de recuperación (trr) |
aprox. 31 ns |
| Corriente directa del diodo (I_F) |
~ 40 A |
| Disipación de potencia (P_tot) |
130 W (T_C = 25 °C) |
| Resistencia térmica unión- |
|
