| Tipo |
IGBT discreto, canal N, PowerMESH™ + diodo antiparalelo integrado |
| Tensión colector-emisor, V_CES |
600 V |
| Voltaje puerta-emisor, V_GE (máx.) |
± 20 V |
| Corriente continua de colector, I_C |
40 A (T_C = 25 °C) / 20 A (T_C = 100 °C) |
| Corriente pulsada de colector, I_CM |
hasta 160 A (pulso limitado por área segura) |
| Disipación total máx., P_tot (T_C = 25 °C) |
150 W |
| Tensión colector-emisor en saturación, V_CE(sat) |
típ. ~ 1.8 V @ I_C = 20 A, V_GE = 15 V (máx. < 2.8 V) |
| Umbral de puerta, V_GE(th) |
3.75 … 5.75 V |
| Corriente de fuga colector-emisor (ICES) |
típ. µA; máx. ~ 250 µA (V_CE = 600 V, V_GE = 0) |
| Corriente de fuga puerta-emisor (I_GES) |
≤ ±100 nA (V_GE = ±20 V, V_CE = 0) |
| Transconductancia directa, g_fs |
~ 15 S (a V_GE = 15 V, I_C = 20 A) |
| Capacitancias (dinámicas) |
C_ies ≈ 2200 pF, C_oes ≈ 225 pF, C_res ≈ 50 pF |
| Carga de puerta (Qg total) |
~ 100 nC (típ.), Qge ≈ 16 nC, Qgc ≈ 45 nC |
| Tiempos de conmutación (carga inductiva, Tj = 25 °C) |
td(on): ~31 ns — tr (di/dt)on: ~11 ns — Off-voltage rise: ~28 ns — td(off): ~100 ns — tf: ~75 ns |
| Temperatura de unión (T_j) |
–65 °C … +150 °C |
| Paquete / Encapsulado |
TO-247 (Through-Hole) |
| Aplicaciones típicas |
Convertidores SMPS, PFC, control de motores a alta frecuencia, fuentes conmutadas, soldadoras, inversores, etc. |
