Parámetro	Valor / Descripción
Tipo de dispositivo	MOSFET de potencia N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente (VDSS)	100 V
Corriente continua de drenador (ID)	40 A (TC)
Resistencia ON (RDS(on))	≈ 0.040 Ω @ VGS=10 V
Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS(max))	±20 V
Voltaje umbral de compuerta (VGS(th))	≈ 4 V @ 250 µA
Carga total de compuerta (Qg)	≈ 300 nC @ 20 V
Disipación de potencia (PD)	≈ 160 W (TC)
Temperatura de operación	–55 °C … +175 °C
Encapsulado	TO‑220AB (3 pines)
Tecnología	MOSFET de silicio (MegaFET)
Aplicaciones típicas	Conmutación de potencia, fuentes SMPS, controladores de motor, convertidores DC‑DC

RFP40N10 HARRIS