Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia P‑Channel
Voltaje drenador‑fuente (VDSS) 50 V
Corriente continua de drenador (ID) 30 A (TC = 25 °C)
Resistencia ON (RDS(on)) ≈ 0.065 Ω @ VGS=–10 V
Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS(max)) ±20 V
Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)) ~4 V @ 250 µA (típico)
Capacitancia de entrada (Ciss) ≈ 3200 pF @ 25 V (máx)
Carga total de compuerta (Qg) ≈ 170 nC @ 20 V (máx)
Potencia máxima de disipación (PD) ~120 W (TC)
Rango de temperatura de operación –55 °C a +175 °C
Encapsulado TO‑220‑3 (Through‑Hole)
Aplicaciones típicas Reguladores conmutados, control de motores, conversores DC‑DC, drivers de carga en alto lado
Estado del producto Obsoleto / descontinuado

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