Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	IGBT N‑Channel de potencia	Transistor de puerta aislada
Tecnología	Trench y Field‑Stop	Mejora rendimiento y baja pérdida
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	600	V
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES)	±20	V
Corriente continua de colector (IC)	50	A (a 25 °C)
Corriente pulsada de colector	200	A (pulsos cortos)
Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(sat))	~1.85	V @ Ic nominal
Disipación de potencia (Tc=25 °C)	~330	W
Disipación de potencia (Tc=100 °C)	~167	W (
Temperatura de operación (Tj)	−40 … +175	°C
Temperatura de almacenamiento	−55 … +150	°C
Corriente de colector a 100 °C	50	A
Voltaje puerta‑emisor recomendado	±20	V
Tiempos de conmutación típicos	td(on) ~23 ns tr ~37 ns td(off) ~235 ns tf ~24 ns	Nanosegundos (rápido)
Encapsulado	TO‑247‑3	Montaje con disipador térmico

G50H603 INFINEON