| Tipo / Serie |
IGBT canal N, serie UFS, con diodo antiparalelo integrado |
| Encapsulado / Package |
TO‑247‑3 (Through‑Hole, 3 pines + tab metálico) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (V_CE max) |
600 V |
| Corriente continua del colector (I_C @ T_C = 25 °C) |
60 A |
| Corriente de colector en pulso / pico (I_CM) |
220 A |
| Potencia máxima de disipación (P_D, case) |
208 W |
| Caída colector‑emisor en conducción (V_CE(on), típico/máx) |
~ 1.9 V |
| Gate‑Emitter voltaje máximo (V_GE) |
±20 V |
| Carga de puerta (Gate Charge, Q_g) |
~ 170 nC |
| Tiempos típicos de conmutación (encendido/apagado) |
~ 36 ns / 137 ns |
| Recuperación inversa del diodo antiparalelo (trr) |
~ 55 ns |
| Rango de temperatura de operación (junción) |
–55 °C … +150 °C |
| Características destacadas |
IGBT con alta impedancia de entrada y baja pérdida en conducción; diodo antiparalelo integrado; soporta switching de hasta 600 V |
| Aplicaciones típicas |
Fuentes conmutadas, drivers de potencia, control de motores, cargas inductivas, inversores, UPS |
