Parámetro / Característica	Valor / Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT con diodo antiparalelo de recuperación rápida (“UltraFast Co‑Pack IGBT”)
Paquete / Encapsulado	TO‑220‑3 (TO‑220AB)
Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES)	600 V
Corriente continua de colector, T_C = 25 °C (I_C)	14 A
Corriente continua de colector, T_C = 100 °C	8 A
Corriente pulsada de colector (I_CM)	18 A
Potencia máxima disipada, T_C = 25 °C	38 W
Potencia máxima disipada, T_C = 100 °C	15 W
Corriente continua del diodo antiparalelo (IF @ T_C = 100°C)	4 A
Corriente máxima forward del diodo (IFM)	18 A
Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE)	± 20 V
Rango de temperatura de operación / almacenamiento (T_J / T_STG)	–55 °C … +150 °C
Voltaje saturación colector‑emisor típico (V_CE(on) @ V_GE = 15 V, I_C ≈ 8 A)	1.8 V
Carga de puerta (Gate charge Q_G)	15 nC
Tiempo de recuperación inversa del diodo (t_rr)	28 ns
Comentario de uso	IGBT de velocidad estándar / ultrarrápida, con diodo antiparalelo integrado, para conversión eficiente de potencia

IRG4BC10UD I&R