Parámetro / Característica	Valor / Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT con diodo de recuperación rápida interna
Encapsulado / Paquete	TO‑220AB (TO‑220-3)
Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES)	600 V
Corriente continua colector a T_C = 25 °C	13 A
Corriente continua colector a T_C = 100 °C	6.5 A
Corriente pulsada de colector / carga inductiva	52 A
Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE)	± 20 V
Potencia máxima disipada, T_C = 25 °C	60 W
Potencia máxima disipada, T_C = 100 °C	24 W
Rango de temperatura de unión / almacenamiento	–55 °C … +150 °C
Resistencia térmica juntura‑a‑case (RθJC)	2.1 °C/W
Resistencia térmica case‑a‑sink (RθCS)	0.50 °C/W
Resistencia térmica juntura‑a‑ambiente (RθJA)	~ 80 °C/W
Voltaje saturación típico V_CE(on) @ V_GE = 15 V, I_C = 6.5 A	1.85 V
Voltaje saturación máximo V_CE(on)	2.1 V
Carga de puerta (Gate Charge) Q_G	27 nC
Tiempos de conmutación (encendido / apagado)	21 ns / 86 ns
Energía de conmutación aproximada	100 µJ (on) / 120 µJ (off)

IRG4BC20U I&R