| Tipo de dispositivo |
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), con diodo de recuperación/switching rápido incorporado / diseño “Generation 4” |
| Paquete / Encapsulado |
TO‑220‑3 (TO‑220AB) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua máxima de colector (I_C @ T_C = 25 °C) |
31 A |
| Corriente continua de colector a T_C = 100 °C |
— (especificación típica de derating térmico) |
| Corriente pulsada máxima / carga inductiva (I_CM / I_LM) |
120 A |
| Potencia máxima disipada (P_D @ T_C = 25 °C) |
100 W |
| Voltaje saturación V_CE(on) típico / máximo (a V_GE = 15 V, cierta I_C) |
~ 1.8 V (condiciones de prueba: 17 A) |
| Carga de compuerta (Gate Charge, Q_G) |
51 nC |
| Tiempos de conmutación (turn‑on / turn‑off) @ 25 °C |
~ 21 ns / ~ 200 ns |
| Energía de conmutación típica |
~ 230 µJ (on), ~ 1.18 mJ (off) — bajo condiciones de test estándar |
| Rango de temperatura de unión / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
| Tipo de montaje |
Through‑hole (disipador / montaje con tornillo) |
