| Tipo de dispositivo |
IGBT (transistor bipolar de puerta aislada), “Fast‑Speed / Generation 4” |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑247AC (through‑hole, 3 pines) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua de colector (I_C @ T_C = 25 °C) |
31 A |
| Corriente pulsada / pico de colector (I_CM / ILM) |
120 A |
| Potencia máxima disipada (P_D @ T_C = 25 °C) |
100 W |
| Caída saturación colector‑emisor típica (V_CE(on)) |
≈ 1.59 V @ V_GE = 15 V, I_C = 17 A |
| Tolerancia compuerta‑emisor (V_GE) |
± 20 V |
| Temperatura de unión / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
| Frecuencia de conmutación recomendada |
~ 1‑5 kHz en “hard switching”; en modo resonante puede superar > 20 kHz |
