| Tipo de dispositivo |
IGBT con diodo antiparalelo ultrarrápido (“ultrafast soft‑recovery”), co‑empaquetado (Co‑Pack) |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑247AC (through‑hole, 3 pines) |
| Voltaje máx. colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua máx. de colector (I_C) |
31 A |
| Corriente pulsada / pico de colector (I_CM / carga inductiva) |
120 A |
| Potencia máxima disipada (P_D @ case, 25 °C) |
100 W |
| Tensión saturación típica colector‑emisor (V_CE(on)) |
~ 1.59 V (condición típica: V_GE = 15 V, I_C ≈ 17 A) |
| Tensión gate‑emisor permitida (V_GE) |
± 20 V |
| Rango de temperatura de operación / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
| Frecuencia recomendada de operación (switching) |
~ 1–5 kHz en “hard switching”; en modo resonante puede operar > 20 kHz |
