Parámetro	Valor
Tipo de componente	IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado (UltraFast / soft‑recovery)
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	600 V
Corriente continua de colector @ Tc = 25 °C (IC)	31 A
Corriente continua de colector @ Tc = 100 °C	15 A
Corriente de colector en pulso / pico (ICM)	62 A
Corriente de carga del diodo antiparalelo (IF) contínua	31 A (Tc = 25 °C) / 15 A (Tc = 100 °C)
Potencia máxima de disipación (PD, case = 25 °C)	208 W
Voltaje saturación colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico)	~1.8 V
Carga de puerta (Gate charge)	84 nC
Paquete / encapsulado	TO‑220 (through‑hole)
Rango de temperatura de operación (junción)	–55 °C … +150 °C
Otras características destacadas	Tecnología Non‑Punch‑Through; diodo antiparalelo soft‑recovery; buena robustez frente a transitorios y cortocircuitos cortos; ideal para control de motores, inversores y fuentes de alimentación

IRGB15B60KD INFINEON