| Tipo de componente |
IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado (UltraFast / soft‑recovery) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 V |
| Corriente continua de colector @ Tc = 25 °C (IC) |
31 A |
| Corriente continua de colector @ Tc = 100 °C |
15 A |
| Corriente de colector en pulso / pico (ICM) |
62 A |
| Corriente de carga del diodo antiparalelo (IF) contínua |
31 A (Tc = 25 °C) / 15 A (Tc = 100 °C) |
| Potencia máxima de disipación (PD, case = 25 °C) |
208 W |
| Voltaje saturación colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico) |
~1.8 V |
| Carga de puerta (Gate charge) |
84 nC |
| Paquete / encapsulado |
TO‑220 (through‑hole) |
| Rango de temperatura de operación (junción) |
–55 °C … +150 °C |
| Otras características destacadas |
Tecnología Non‑Punch‑Through; diodo antiparalelo soft‑recovery; buena robustez frente a transitorios y cortocircuitos cortos; ideal para control de motores, inversores y fuentes de alimentación |
