| Tipo de componente |
IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado (UltraFast / soft‑recovery) |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 V |
| Corriente continua de colector @ Tc = 25 °C (IC) |
40 A |
| Corriente continua de colector @ Tc = 100 °C |
≈ 22 A |
| Corriente de colector en pulso / pico (ICM) |
80 A |
| Potencia máxima de disipación (PD, case = 25 °C) |
215 W |
| Voltaje saturación colector‑emisor en conducción (VCE(on), típico) |
~2.05 V |
| Carga de puerta (Gate charge, Qg) |
~68 nC |
| Paquete / encapsulado |
TO‑220AB / Through‑Hole |
| Rango de temperatura de operación (junción) |
–55 °C a +150 °C |
| Diodo antiparalelo integrado |
Sí — recuperación rápida / soft‑recovery |
| Aplicaciones típicas |
Fuentes conmutadas, PFC, UPS, inversores, control de motores de media potencia |
