| Tipo de dispositivo |
MOSFET potencia, canal N (enhancement‑mode) |
| Tensión drenaje‑fuente máxima (Vᴅss) |
800 V |
| Corriente de drenaje continua (Iᴅ, Tc = 25 °C) |
44 A |
| Resistencia drenaje‑fuente en conducción (RᴅS(on), máx) |
0.19 Ω (a Vgs = 10 V) |
| Carga total de compuerta (Qg, máx) |
198 nC (a Vgs = 10 V) |
| Capacitancia de entrada (Ciss, máx) |
~ 12000 pF (Vds ≈ 25 V) |
| Disipación máxima de potencia (P_D, case) |
1040 W (Tc, con carcasa enfriada) |
| Voltaje compuerta‑fuente máximo (Vgs,max) |
±30 V |
| Umbral de compuerta (Vgs(th) máx) |
~ 5 V (Id ≈ 8 mA) |
| Encapsulado / paquete |
TO‑264 (Through Hole) |
| Temperatura de operación (junction) |
–55 °C … +150 °C |
| Características adicionales |
Diodo intrínseco rápido, avalancha permitida, apto para switching inductivo (UIS rated) |
