| Tipo |
IGBT “Fast” (tecnología NPT) |
| Tensión colector‑emisor máxima (V_CE) |
1200 V |
| Corriente de colector continua (I_C) a T_C = 25 °C |
46 A |
| Corriente de colector continua a T_C = 100 °C |
25 A |
| Corriente de pulso (I_Cpuls) |
84 A |
| Voltaje puerta‑emisor (V_GE) máximo |
± 20 V |
| Energía de avalancha (E_AS) |
130 mJ (una sola pulsación, condiciones típicas) |
| Tiempo de soporte en cortocircuito (t_SC) |
10 µs |
| Disipación de potencia máxima (P_tot) |
313 W |
| Temperatura de unión / almacenamiento (T_j, T_stg) |
–55 °C … +150 °C |
| Resistencia térmica unión‑carcasa (R_th j‑c) |
0,4 K/W |
| Voltaje de saturación colector-emisor (V_CE(sat)) |
~ 2,5 V (T_j = 25 °C, I_C = 25 A) hasta ~ 4,3 V (T_j = 150 °C) |
| Tensión umbral puerta-emisor (V_GE(th)) |
~ 3‑5 V |
| Corriente de fuga colector‑emisor (I_CES) |
hasta 1400 µA (T_j = 150 °C) |
| Capacitancia de entrada (C_iss) |
entre ~ 2150 pF y ~ 2600 pF |
| Capacitancia de salida (C_oss) |
entre ~ 160 pF y ~ 190 pF |
| Capacitancia de retroalimentación (C_rss) |
entre ~ 110 pF y ~ 130 pF |
| Carga de la puerta (Q_gate) |
~ 225‑300 nC (condiciones de prueba: VCC = 960 V, I_C = 25 A, V_GE = 15 V) |
| Inductancia interna (emisor) |
~ 13 nH (medido a 5 mm de la carcasa) |
| Corriente de cortocircuito pico (I_SC) |
hasta 240 A (V_GE = 15 V, t_SC ≤ 10 µs) |
| Tiempo de conmutación (carga inductiva, T_j = 25 °C) |
— Delay encendido (td(on)): ~ 45‑60 ns — Rise time (tr): ~ 40‑52 ns — Delay apagado (td(off)): ~ 730‑950 ns — Fall time (tf): ~ 30‑39 ns |
| Energía de conmutación (carga inductiva, T_j = 25 °C) |
— E_on: ~ 2,2‑2,9 mJ — E_off: ~ 1,5‑2,0 mJ — E_total (E_ts): ~ 3,7‑4,9 mJ |
| Energía de conmutación (T_j = 150 °C) |
— E_on: ~ 3,8‑4,6 mJ — E_off: ~ 2,9‑3,8 mJ — E_ts: ~ 6,7‑8,4 mJ |
