STGW20NC60VD ST-M
IGBT STGW20NC60VD 30A 600V TO-247 MARCA ST-M ORIGINAL
| Parámetro / Especificación | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo | IGBT discreto, tecnología PowerMESH™, con diodo antiparalelo “very soft ultra fast recovery” |
| Encapsulado / Paquete | TO‑247 (3 pines, montaje Through‑Hole) |
| Tensión colector‑emisor (V_CES) | 600 V |
| Corriente continua de colector (I_C) | 60 A (a TC = 25 °C) / 30 A (a TC = 100 °C) |
| Corriente pulsada de colector (I_CP / I_CM) | 150 A (pulso, límite térmico / RBSOA) |
| Voltaje puerta‑emisor (V_GE) | ± 20 V |
| Tensión de saturación colector‑emisor (V_CE(sat)) | típ. 1.7 – 1.8 V (ej. V_GE = 15 V, I_C = 20 A) / máx. 2.5 V |
| Umbral de puerta (V_GE(th)) | 3.75 – 5.75 V (para IC = 250 µA) |
| Corriente de fuga colector‑emisor (I_CES) | ≤ ~ 250 µA (V_GE = 0, V_CE = 600 V, a cierta temperatura) |
| Corriente de fuga puerta‑emisor (I_GES) | ± 100 nA (V_CE = 0, V_GE = ±20 V) |
| Transconductancia directa (g_fs) | ~ 15 S (V_CE = 15 V, I_C = 20 A) |
| Capacitancias internas | C_ies ≈ 2200 pF, C_oes ≈ 225 pF, C_res ≈ 50 pF |
| Carga total de puerta (Q_g) | ~ 100 nC (Gate total), con ~ 16 nC gate-emisor + ~ 45 nC gate-colector |
| Disipación máxima de potencia (P_tot) | 200 W (TC = 25 °C) |
| Resistencia térmica unión‑a‑case (RθJC) | IGBT: 0.63 °C/W — Diodo: 1.5 °C/W |
| Resistencia térmica unión‑a‑ambiente (RθJA) | ~ 50 °C/W |
| Temperatura de operación / unión (T_j) | –55 °C … +150 °C |
| Condiciones de conmutación típicas (carga inductiva) | V_CC = 390 V, I_C = 20 A, V_GE = 15 V, R_G = 3.3 Ω |
| Tiempos de conmutación (inductiva, típico) | td(on) ≈ 31 ns, tr (crecimiento de corriente) ≈ 11 ns; turn-off: td(off) ≈ 100 ns, tf (caída de corriente) ≈ 75 ns |
| Energía de conmutación (i |
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