Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente – consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
950mOhm a 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1110 pF @ 25 V
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)

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