Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	BJT NPN de potencia	Silicio
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	400	V
Voltaje colector‑base máximo (VCBO)	400	V
Voltaje emisor‑base máximo (VEBO)	5	V
Corriente continua de colector (IC)	15	A
Corriente pico de colector (ICM)	30	A
Corriente continua de base (IB)	6	A
Corriente pico de base (IBM)	9	A
Potencia máxima disipada (PC)	160	W
Temperatura de unión máxima (Tj)	150	°C
Rango de temperatura de almacenamiento	−65 a +150	°C
Resistencia térmica j‑c	1	°C/W
Encapsulado / paquete	TO‑3	Metal, para alta disipación térmica

BUP200 INFINEON