Parámetro / Característica	Valor / Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), “Ultra‑Fast / Short‑Circuit Rated”
Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES)	600 V
Corriente continua máxima de colector (I_C)	28 A
Corriente pulsada máxima de colector (I_CM, impulso)	58 A
Potencia máxima disipada (Pd)	100 W (case a 25 °C)
Carga de puerta (Gate Charge, Q_G)	100 nC (aproximadamente)
Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE)	± 20 V
Rango de temperatura de operación / almacenamiento (T_J / T_STG)	–55 °C … +150 °C
Encapsulado / Paquete	TO‑220 (TO‑220‑3) / Through‑hole
Voltaje saturación V_CE(on) máximo (condiciones típicas)	~ 2.7 V @ V_GE = 15 V, I_C = 16 A
Tiempos de conmutación típicos (turn‑on / turn‑off)	~ 26 ns / ~ 130 ns (según condiciones de test)
Tiempo mínimo soportado de cortocircuito (short‑circuit withstand)	10 µs (cuando V_CE start ~ 360 V, V_GE = 15 V) — típico en esta familia IGBT

IRG4BC30K I&R